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文章來源 : 廣東優科檢測 發表時間:2023-09-28 瀏覽數量:
高溫試驗是晶振在高溫條件下工作一段時間后,評定高溫對晶振的電氣和機械性能的影響;或者長時間高溫存儲(不帶電)后,評定晶振的質量穩定性,可參照標準GJB 360B.108。
低溫試驗是長時間低溫存儲(不帶電)后,評定晶振的質量穩定性,以及檢測封裝中足以對晶振產生不良影響的殘存濕氣,即通常的露點測試,可參照標準GJB 548B.1013.1。
高低溫儲存試驗(High/Low Temperature Storage)暴露的故障來源于元器件表面和內部的物理和化學變化,例如:密封問題,材料熱脹冷縮問題,電性能產生的變化等。
高溫存儲試驗:
工作溫度: 125°C±5°C; 存儲時間: 1000H±12H,不帶電; 實驗結束后24±2Hrs內進行電性能測試。高溫儲存試驗可以使用“電熱恒溫箱”來進行試驗,可參考標準MIL-STD-202 Method 108。
低溫存儲試驗:
工作溫度: -55°C±5°C; 存儲時間: 1000H±12H,不帶電; 實驗結束后24±4Hrs進行電性能測試。低溫儲存試驗可以使用“低溫試驗機”,可參考標準JIS-C7021B-12。
高溫存儲試驗:
晶體諧振器頻率降低3.5ppm左右(5max),諧振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶體振蕩器頻率降低3.5ppm左右(5 max)。
低溫存儲試驗:
晶體諧振器頻率降低2.5ppm左右(5max),諧振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶體振蕩器頻率降低3.5ppm左右(5 max)。
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