文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時(shí)間：2025-04-08 瀏覽數(shù)量：
AEC-Q101是由汽車電子委員會制定的車規(guī)級分立半導(dǎo)體器件可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，涵蓋二極管、晶體管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵元器件認(rèn)證。作為國內(nèi)少數(shù)具備CNAS全項(xiàng)檢測資質(zhì)與CNCA發(fā)證能力的第三方AEC-Q101檢測實(shí)驗(yàn)室，我們構(gòu)建了符合ISO/IEC 17025體系的車規(guī)級檢測平臺，可提供從測試方案設(shè)計(jì)到認(rèn)證報(bào)告交付的一站式服務(wù)。
認(rèn)證體系包含7大類32項(xiàng)嚴(yán)苛測試：
1. 環(huán)境可靠性試驗(yàn)：溫度循環(huán)（-55℃~150℃）、高壓蒸煮（121℃/100%RH）；
2. 壽命加速試驗(yàn)：高溫反向偏置（HTRB）、高溫柵極偏置（HTGB）；
3. 機(jī)械應(yīng)力測試：振動（20~2000Hz）、機(jī)械沖擊（1500g）；
4. 電氣特性驗(yàn)證：雪崩能量測試、熱阻測量（RθJA）；
5. 失效模式分析：開封檢查、掃描電鏡（SEM）分析。
難點(diǎn)1：極端條件模擬
- 溫度沖擊測試要求溫變速率＞40℃/min，需定制液氮快速溫變箱。
- 功率循環(huán)測試需精確控制△Tj=100K的結(jié)溫波動。
難點(diǎn)2：數(shù)據(jù)采集復(fù)雜性
- MOSFET的RDS(on)參數(shù)測量需在脈沖寬度＜300μs條件下完成。
- IGBT模塊測試需同步采集VCE(sat)、Eoff等動態(tài)參數(shù)。
難點(diǎn)3：失效機(jī)理判定
- 靜電損傷（ESD）與閂鎖效應(yīng)（Latch-up）需通過EBIC檢測定位失效點(diǎn)。
- 金屬遷移失效需結(jié)合FIB切片與EDS元素分析。
難點(diǎn)4：測試周期控制
- HTOL壽命試驗(yàn)持續(xù)1000小時(shí)以上。
- 溫濕度組合測試需進(jìn)行1000次循環(huán)。
難點(diǎn)5：標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)更新
- 2023版新增SiC器件雙脈沖測試要求。
- TVS管新增UIS（非鉗位電感開關(guān)）測試項(xiàng)。
AEC-Q101認(rèn)證適用于汽車電子系統(tǒng)關(guān)鍵器件：
- 功率器件：SiC MOSFET、IGBT模塊
- 保護(hù)器件：TVS二極管、穩(wěn)壓管
- 驅(qū)動器件：達(dá)林頓晶體管、光耦
- 傳感器件：霍爾元件、溫度傳感器
1. 確定溫度等級：根據(jù)器件的應(yīng)用環(huán)境選擇合適的溫度等級。
2. 選擇測試項(xiàng)目：根據(jù)器件類型和封裝形式，選擇需要進(jìn)行的環(huán)境應(yīng)力實(shí)驗(yàn)和性能測試項(xiàng)目。
3. 進(jìn)行測試：完成選定的測試項(xiàng)目，記錄測試結(jié)果。
4. 數(shù)據(jù)分析：對測試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和處理，確保所有測試結(jié)果符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的要求。
5. 認(rèn)證報(bào)告：通過測試后，實(shí)驗(yàn)室出具AEC-Q101認(rèn)證CNAS測試報(bào)告，證明器件符合標(biāo)準(zhǔn)。
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