文章來(lái)源 : 廣東優(yōu)科檢測(cè) 發(fā)表時(shí)間：2023-03-14 瀏覽數(shù)量：
優(yōu)科檢測(cè)認(rèn)證是專(zhuān)業(yè)第三方AEC-Q101認(rèn)證機(jī)構(gòu)，可提供TVS二極管AEC-Q101認(rèn)證辦理服務(wù)，接下來(lái)為大家介紹TVS二極管AEC-Q101認(rèn)證對(duì)應(yīng)的測(cè)試項(xiàng)目、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、測(cè)試條件、樣品測(cè)試數(shù)量，參考案例如下表，具體以實(shí)際樣品規(guī)格書(shū)評(píng)估后確定：
| 序號(hào) | 測(cè)試項(xiàng)目 | 縮寫(xiě) | 樣品數(shù)/批 | 批數(shù) | 測(cè)試方法 | 附加條件 |
| A1 | 預(yù)處理 Pre-condition | PC | 77*4 | 3 | J-STD-020E，JESD-A113 | 只對(duì)A2，A3，A4，A5&C8進(jìn)行預(yù)處理 |
| A2 | 高加速度應(yīng)力測(cè)試 Highly Accelerated Stress Test | HAST | 77 | 3 | JESD22 A-110 | 1、96H，Ta=130℃，RH=85%； 2、VR=80%*Vrmax 3、試驗(yàn)前后電測(cè) |
| A2alt | 高溫高濕反向偏壓 High Humidity High Temp. Reverse Bias | H3TRB | 77 | 3 | JESD22 A-101 | 1、試驗(yàn)周期：1000H； 2、Ta=85℃/85%RH； 3、VR=80%*Vrmax 4、試驗(yàn)前后電測(cè) |
| A3 | 無(wú)偏加速應(yīng)力測(cè)試 Unbiased Highly Accelerated Stress Test | UHAST | 77 | 3 | JESD22 A-118 | 1、試驗(yàn)周期：96H； 2、Ta=130℃/85%RH； 3、UHAST前后進(jìn)行TEST。 |
| A3alt | 高壓測(cè)試 Autoclave | AC | 77 | 3 | JESD22 A-102 | 1、試驗(yàn)周期=96H； 2、Ta=121℃/100%RH，15psig； 3、AC前后進(jìn)行TEST。 |
| A4 | 溫度循環(huán) Temperature Cycling | TC | 77 | 3 | JESD22 A-104 | 1、試驗(yàn)周期：1000循環(huán)； 2、-55℃~150℃； 3、TC前后TEST |
| B1 | 高溫反向偏壓 High Temperature Reverse Bias | HTRB | 77 | 3 | MIL-STD-750-1 M1038 Method A | 1、試驗(yàn)周期：1000H； 2、VR=Vrmax； 3、Ta=150℃，需要根據(jù)漏電流大小調(diào)整； 4、HTRB前后進(jìn)行TEST |
| C1 | 破壞性物理分析 Destructive Physical Analysis | DPA | 2 | 1 | AEC-Q101-004 Section 4 | 從通過(guò)H3TRB或HAST 、TC試驗(yàn)的樣品中隨機(jī)各抽取2只 |
| C2 | 物理尺寸 Physical Dimension | PD | 30 | 1 | JESD22 B-100 | 驗(yàn)證物理尺寸和公差 |
| C3 | 邦線(xiàn)強(qiáng)度 Wire Bond Strength | WBS | 10 | 1 | MIL-STD-750 Method 2037 | 進(jìn)行前后過(guò)程變化對(duì)比以評(píng)估過(guò)程變化的穩(wěn)健性 |
| C4 | 邦線(xiàn)剪切 Bond Shear | BS | 10 | 1 | AEC-Q101-003 | 有關(guān)驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)和如何執(zhí)行測(cè)試的詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱附帶的程序。 |
| C5 | 芯片剪切 Die Shear | DS | 5 | 1 | MIL-STD-750 Method 2017 | 進(jìn)行前后過(guò)程變化對(duì)比以評(píng)估過(guò)程變化的穩(wěn)健性 |
| C8 | 耐焊錫熱 Resistance to Solder Heat | RSH | 30 | 1 | JESD22 A-111 (SMD) B-106 (PTH) | RSH試驗(yàn)前后都要都要進(jìn)行TEST，SMD部件應(yīng)在測(cè)試期間完全浸沒(méi)，并按MSL等級(jí)進(jìn)行預(yù)處理。 |
| C9 | 熱阻抗 Thermal Resistance | TR | 10 | 1 | JESD24-3,24-4,26-6視情況而定 | 測(cè)量TR以確保符合規(guī)范 |
| C10 | 可焊性 Solderability | SD | 10 | 1 | J-STD-002 JESD22B102 | 放大50X,參考表2B中的測(cè)試方法A，對(duì)于通孔應(yīng)用測(cè)試方法A，或?qū)MD應(yīng)用測(cè)試方法B和D. |
| C11 | 晶須生長(zhǎng)評(píng)估 Whisker Growth Evaluation | WG | 3 | 3 | AEC-Q005 | 晶須生長(zhǎng)，采用溫沖的條件：-40~+85℃的溫循，1小時(shí)3循環(huán)，1500循環(huán)，試驗(yàn)后采用SEM進(jìn)行錫須觀(guān)察 |
| E0 | 目檢 External Visual | EV | 每項(xiàng)試驗(yàn)前后均進(jìn)行測(cè)試 | JESD22-B101 | 產(chǎn)品外觀(guān)檢查（結(jié)構(gòu)、標(biāo)識(shí)、工藝） | |
| E1 | 應(yīng)力前后電氣和光度測(cè)試 Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric Test | TEST | 所有應(yīng)力試驗(yàn)前后均進(jìn)行測(cè)試 | 用戶(hù)規(guī)范或供應(yīng)商的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范 | 應(yīng)力試驗(yàn)前后在室溫下測(cè)量以下靜態(tài)參數(shù)：VF, IR, VBR | |
| E2 | 參數(shù)驗(yàn)證 Parametric Verification | PV | 25 | 3 | 用戶(hù)規(guī)范 | 依據(jù)產(chǎn)品規(guī)格書(shū)測(cè)試器件參數(shù)，以確保符合規(guī)范 |
優(yōu)科實(shí)驗(yàn)室具備AEC-Q100/101/102/103/104/200標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)資質(zhì)和檢測(cè)能力，可提供車(chē)規(guī)級(jí)集成電路、分立半導(dǎo)體器件、光電半導(dǎo)體器件、傳感器、被動(dòng)元件等汽車(chē)電子元件AEC-Q檢測(cè)認(rèn)證服務(wù)。我們可依據(jù)產(chǎn)品使用條件和質(zhì)量指標(biāo)，定義符合車(chē)電測(cè)試計(jì)劃，助力客戶(hù)快速進(jìn)入汽車(chē)電子市場(chǎng)。
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